Speicherzellenanordnung und Verfahren zu deren Betrieb

Abstract

Eine Speicherzellenanordnung weist Speicherzellen auf, die jeweils zwei magnetoresistive Elemente enthalten. Wenn die magnetoresistiven Elemente jeder Speicherzelle so magnetisiert sind, daß sie unterschiedliche Widerstandswerte aufweisen, läßt sich die in der Speicherzelle gespeicherte Information über eine Widerstandshalbbrückenschaltung dadurch bestimmen, daß an einem Ausgang bewertet wird, ob das dort abgegriffene Signal größer oder kleiner Null ist.

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      Publication numberPublication dateAssigneeTitle
      EP-0936623-A2August 18, 1999International Business Machines CorporationDispositifs à jonction tunnel magnétique
      US-5745406-AApril 28, 1998Oki Electric Industry Co., Ltd.High-speed, low-current magnetoresistive memory device

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